Когато се прилагат към p-n-прехода на промяната, напреженията показват влиянието на мощността.

Решението на p-n-прехода е свързано с вината на пространствения заряд, създаден от неразрушаващи йони на атоми на донори и акцептори. Прилагането на различно напрежение към p-n прехода променя стойността на пространствения заряд в кръстовището. По-късно p-n преходът е като вид плосък кондензатор, чиито плочи служат като n- и p-тип преходна зона и като изолатор, площта на пространствения заряд, зареден с носители на заряд и може да е страхотен опит.

Такъв капацитет на p-n-прехода се нарича bar'ernoy . Бариерната стая C B може да бъде покрита от формулата

S - площ на p-n-прехода; e e 0 - видимо (e) и абсолютно (e 0) диелектрично проникване; D е ширината на p-n прехода.

Особеността на bar'ernoy єmnostі є її zalezhnіst vіd ovnіshnyї naruga. За подобряване на (2.2) бар'ерната ємнист за рязък преход се осигурява от следната формула:

,

Знакът „+“ показва връщане, а „-“ директен натиск върху прехода.

Отлагането на bar'ernoy єmnostі под формата на обратимо напрежение се нарича характеристика капацитет-напрежение (div. Фиг. 2.6). Угарът в зоната на прехода, концентрацията на фара и напрежението на завъртане на bar'єrna єmnіst могат да увеличат стойността от един до стотици пикофаради. Бариерен капацитет се проявява в случай на обратен стрес; с директно налягане се шунтира от малка опора r pn.

Krim bar'ernoi єmnosti p-n-преход има така наречения дифузионен капацитет. Дифузионният капацитет е свързан с процесите на натрупване и разширяване на неподходящ заряд в основата, което характеризира инерцията на движението на неподходящи заряди в основната област.

Difuziyna єmnіst може да бъде отворена от предстоящия ранг:

,

de t n - часът на живот на електроните в основата.

Разширяването на дифузионния капацитет е пропорционално на струмата през p-n-прехода. При директно напрежение дифузионният капацитет може да достигне десетки хиляди пикофаради. Общият капацитет на p-n-прехода се определя от сумата на bar'ernoy и дифузионния капацитет. С противоналягане C B > C DIF; под директно налягане, дифузионен капацитет C DIF >> C B.

Еквивалентната схема на p-n-прехода на заместващия поток е показана на фиг. 2.7. В еквивалентната схема, успоредно на диференциалната опора към p-n-прехода r pn, са включени два капацитета C B и C DIF; последователно с r pn, се включва обемният opir на основата r¢ B. По този начин при високи честоти p-n-преходът губи своята нелинейна мощност.

Типи диоди

Диодите се класифицират:

1. Зад честотата:

2. ниска честота;

3. среден диапазон;

4. висока честота;

5. VHF - диод.

6. За технологията на приготвяне:

7. точки;

8. плаващ;

9. дифузен.

10. За функционални цели:

11. изправен;

12. универсален;

13. светлина;

14. тунелни диоди.

Основните характеристики на диода с постоянен ток са следните параметри: I pr, U pr, I pr max, U pr max, I arr, U arr max, r dif, де r диф- Диференциален опир диод: .

За ценеров диод основните параметри са є I s min, I s max, U s min, U s макс, krim на този ценеров диод (посочен в работната точка), номинални данни и напрежение на пробив U arr макс. Също така е даден TKN (температурен коефициент на напрежение): или в % на °С: .

Импулсните диоди се характеризират с работна честота еи импулсна реакция: t cx(един час, чрез разтягане на диод за възстановяване на мощността му), Cpnи по самите характеристики, като vipryamnі диоди: I pr, I arrи т.н.

Електрическа система за анимация. Класификация и характеристики на vipryamlyachiv. Един и същ двоен период vipryamlyach z R vantazhennyam.

Джерела Живления да стане основна част от електронната пристройка. Прибл 50% във vіd vаgi аpаpаturi да се превърне в блок zhivlennya чрез тези, scho към yogo склад звук да влезе в трансформатора, който може да бъде големи размери и masu.

Жилищният блок се състои от: трансформатор, диодни вериги, което изглажда филтъра і стабилизатор .

Електрическа система за анимация - Sukupnіst на първия и втория dzherel kharchuvannya.

Първият живот джерела - разширения, които преобразуват неелектрическа енергия в електрическа (само генератори)

Вторичен живот - разширение, което преобразува един вид електрическа енергия в друг (например смяна на струята в постоянна ( изправяне ), post_yny бръмча при промяна ( инвертор )).

трансформатор назначения за uzgodzhennya диодни вериги с мярка за живот. Промяната в броя на завоите на вторичната и първичната намотки се нарича коефициент на трансформация. Друга особеност на трансформатора е изолирането на диодната верига в случай на различни линии, тъй като напрежението е заземено.

диодна схема разпознава се за изправяне на напрежението на входа и отримана на изхода на работния постоянен склад.

U d- Постоянно складово напрежение;

Документ за самоличност- Постийна складова сила.

Угар под формата на диодна верига, напрежението на изхода на диодната верига е различно. Qiu akіst оценява коефициента на пулсация:

.

Коефициентът на пулсация може да бъде или по-голям от 1 (за победители с двоен период), или по-малък от 1 (за такива с един период).

Като изглаждащ филтър, vicory е пасивни RC и LC филтри (често vicory е LC филтър). Един фенер на LC филтъра променя коефициента на пулсиране не повече от по-ниско за 25 пъти. За по-силна промяна K стрспрете филтри за 2 или 3 ленти. (ако броят на краката е повече от 3, е възможно самовъзбуждане).

стабилизатор назначения за далечна промяна в пулсацията (промяна K стр 1000 и повече пъти). Като правило основата на йога са интегрирани микросхеми (OU или специални микросхеми).

Извиква се редът на трансформатора, диодните вериги и филтрите, които са изгладени по директен начин . Основните характеристики на машината за изправяне са:

1) средно изправяне на дрънка напред аз 0;

2) средно изправено напрежение върху навигацията U 0;

3) коефициент на вълни върху усилването K n0;

4) външната характеристика на изправителя U 0 = U 0 (I 0).

Odnonapivperіodna схема vipryamlyach.

Процесите, които се използват в схемата, са показани на осцилограми:

Имайте положителен период на напрежение U 2диод VD извива и протича през струята аз 2равни документ за самоличност. При кое напрежение напрежението може да има синусоидален характер с амплитуда U 2 м(Спадането на напрежението на диодите не е добро).

При отрицателен период на напрежение U 2 VD диод за късо съединение и обратно напрежение добавени към новото U arr max = U 2 m. В такъв ранг напрежението и шумът на начинанието могат да имат импулсивен характер (от 0 до стр- синусоидален характер i vіd стрпреди 2стрнапрежение и шум, равни на нула).

Значително характеристиките на машината за изправяне:

1. Изходно напрежение на вторичната намотка на трансформатора:

смислено wt=uсъщо или .

Можете ясно да видите къса полувълнова изправителна верига: средното изправено напрежение на намотката е по-голямо от по-ниското при 2 пъти по-малко U 2.

, де аз 2м- Амплитуда на струята на вторичната намотка на трансформатора.
Познавайки spіvvіdnoshennia mіzh U dі U 2можете да запишете идващия вираз:
I 2 = 1,57 I d,de Документ за самоличност- Средна изправяща дрънкачка.
Tsі vrazi ви позволяват да зададете напрежението на вторичната намотка на трансформатора, както и да изключите захранването, докато намотката на вторичната намотка ( P 2 \u003d U 2 I 2).

3. Чинна стойност на струмата на първичната намотка на трансформатора:
между струната на първичната и вторичната намотки, налепът е линеен, de н- Коефициент на трансформация. В твоя ад i 2 = I 2 -I dсъщо . Значително chinne означава strumu аз 1 (I 1):
.
Освен това можете да определите херметичността P1първична намотка на трансформатора ( P 1 \u003d U 1 I 1). Познавайки напрежението на първичната и вторичната намотка, е възможно да се развие типичното напрежение на трансформатора ( С):

4. Обратно напрежение на диодите

5. Честотата на първия хармоник на напрежението на входа ( f n1): f n1 = линии f = 50 Hz.
Zvіdsi viplyaє друг nedolіk odnopolіodіdї схеми на ректификация. Vіn този с честотата 50Hzс бърз филтър, който изглажда, са необходими по-обемисти L и C.

6. Коефициент на пулсация, де U 1 мзависи от начина на полагане в серия от извити напрежения на Четири на напрежението (за едновълнова ректификационна схема U 1 m > U d, което също е кратко).

Защото при струмата на вторичната намотка є постийна склад, ровна Документ за самоличност, то трансформаторът е чувствителен към намагнитване, така че е възможно да се създаде сигнал на изхода на трансформатора за флуктуациите на тока. Shchabnuti tsgogo, zbіlshhuyut rozmіr трансформатор.

При връзката с погасените липси се дава схема за победа, тъй като не изисква висока яркост на изходния сигнал.

Двупериодна схема от средната точка.

Вон да отмъсти за трансформатора от средния visnovk и два диода. Сгънат е от две едноточкови изправи.

W'2 = W''2;

От диаграмата можете ясно да видите недостатъците: необходимостта от премахване на средната точка на трансформатора и същия брой завои на вторичната намотка.

Представено с часовникови диаграми:

Нека да разгледаме схемите на роботите.

В периода на положително напрежение, диодът VD1 преминава през диодната струя i d1. Амплитуда на напрежението U n max \u003d U 2 m. При отрицателния период на намотка диодът VD1 се затваря и диодът VD2 се изключва, така че тъй като намотките са идентични, тогава амплитудата на напрежението върху намотката също е по-голяма U 2 м. Напрежението върху напрежението е импулсивно, а честотата на основния хармоник е 2 пъти по-висока от честотата на масива ( f n1 \u003d 2f линии). Стръм, който се влива в кожата от намотките на намотките от нула до участък от един период на навиване. По сърцевината на трансформатора магнитните потоци, създавани от струите на намотките, имат синусоидален характер. Това може да се обясни с факта, че ходът на вторичната намотка на трансформатора (скорост на сърцевината) може да има синусоидален характер.

Основните характеристики на машината за изправяне.

1. Средно изправено напрежение върху перката U d:
защото Датски vipryamlyach е комбинация от два полупериодни vipryamlyachiv, а след това: .

2. Чинна стойност на струмата на вторичната намотка на трансформатора:
защото естеството на струмата, която протича през намотката на трансформатора (сдвоена с полувълнов токоизправител), не се променя, тогава въртенето ще бъде същото: .
Дали, zrobivshi подобни vysnovki, shcho і за odnopіvіvіodnogo vpryamyach, ние приемаме:

До къси съединения е възможно да се види сложна схема и конструкция на трансформатора.

Наличието на p-n-преходи на йони в къщите и ревящи носове на заряда, които се намират близо до междупрехода, е умопомрачително усещане за сила.

Є два склада на p-n-прехода: bar'erna (зареждане) Cbar и дифузен Cdif. Бариерата е снабдена с p-n-преход от йони в донорните и акцепторните къщи, p- и n-областите правят 2 заряда на облицовката на кондензатора, а самата топка служи като диелектрик. В случай на падане, застояването на капацитета за зареждане под формата на обратно напрежение, приложено към p-n прехода, се изразява с формулата.

de C 0 - Mistk_st p-n преход при Uobr \u003d 0.

γ - коефициент, който трябва да бъде депозиран в типа p-n преход (за резки преходи γ = 1/2 и плавни γ = 1/3). От тази гледна точка е ясно, че с увеличаване на налягането на въртене на шината, капацитетът се променя. Тобто. zі zbіlshennyam zvorotnoї naprugi tovshchina zbіdnenogo топка p-n-възел расте, плочите на кондензатора hіba rozsuvayutsya, и ієmnіst yogo падат. Силата на bar'ernoi єmnostі позволява vikoristovuvaty преход като єmnіst, kerovanuyu стойност vorvotnoї naprugi.

Депозитът на капацитета като приложено напрежение се нарича характеристика капацитет-напрежение. De curve 1-планове p-n-преход, 2-sharp.

Дифузионният капацитет се характеризира с промяна в броя на неважните носители на заряд в p- и n-области (крива 3).

Ipr - директен бръмчене, който тече през прохода - часът на живот на инжектирани маловажни носове.

По време на прехода към областта на правата линия напрежението нараства не само bar'erna mnist, но и mnist, е свързано с натрупването на маловажен заряд в p- и n-области на прехода. Натрупаният нос в r- и n-зоните бързо се рекомбинира, а дифузният капацитет също се променя в час. Shvidkіst отказват да легнат в час на живот на маловажни носове в отговор. Дифузионният капацитет се шунтира от малка директна опора на p-n прехода и богато, в която определя кода на проводниковите елементи.

Еквивалентна схема на p-n преход е математически модел, който се използва за анализ на електронни схеми, които включват p / p диоди.

Параметрите Lv - индуктивност на бобината и Sk - капацитет на корпуса се повлияват, ако конструкцията се постави близо до корпуса.

Еквивалентната схема за обратно включване на прехода изглежда така:

При големи директни потоци е възможно да изключите Zb от еквивалентната схема.

16. Класификация на p/p диодите. Система за назначения. Умно графично обозначение на p/p диоди.

Проводников диод се нарича устройство за електрическо преобразуване, което отмъщава за един или два превключвателя, за да се свърже с най-добрия lansyug.

P / p диодите се класифицират: според вида на материала, дизайна и технологичните характеристики, признати само. Според вида на използвания материал се използват диоди: германий, силиций, селен, силициев карбид, арсенид-галиев и др. За конструктивни и технологични характеристики: пунктирани, легирани, микролегирани, дифузни, епитаксиални, с пръчка на Шотки, поликристални и други. на: 1. Vipryamlyuvalnі (сила), признат за преобразуване на променливо напрежение на жизнената линия на промишлената честота в постоянна. 2. Стабилизатори (поддържащи диоди), разпознати за стабилизиране на напрежението, които могат да се използват на порта на I–V характеристика на растение със слаб угар на напрежението в зоба. 3. Varicapi, признат за работа в импулсни системи с кодиран код. 5. Тунелни и обвиващи диоди, използвани за усилване, генериране и превключване на високочестотни шумове. 6. Надвисокочестотни индикации за трансформация, заглушаване, генериране на високочестотни звуци. 7. Светлина, разпозната за преобразуване на електрически сигнал в светлинна енергия. 8. Фотодиоди, предназначени за преобразуване на светлинна енергия в електрически сигнал. Система за назначения.Състои се от буквени и цифрови елементи. Първият елемент на обозначението е буквата chi номер, която показва действителния материал на диода: G или 1 - германия или його половина; или 2 - силикон или його половина; Або 3 - арсенид галий и половин галий; Друг елемент е буква, която показва разпознаването на диода: D - прав, импулсивен; C - стабилитрон; B - варикапи; I - тунели, обвивки; A - надвисока честота; L - светлинен диод; F - фотодиод. Третият елемент е число, което показва енергийните характеристики на диода. Четвъртият елемент е две цифри, които показват номера на разпределението. Петият елемент е буква, която характеризира конкретните параметри на диода. Интелигентно изображение.

Диодите се наричат ​​анод и катод. Анодът е дисплей на електронно устройство, докато такъв директен поток не потече от нормален електрически кол. Катодът е дисплей на електронно устройство, с оглед на което по старо електрическо копие тече директна струя. Стрелката за обозначение на диода сочи към кръстовището на n-областта.

"

Когато се прилагат към p-n-прехода на промяната, напреженията показват влиянието на мощността.

Приемането на p-n-прехода се дължи на вината на пространствения заряд, създаден от неразрушаващи йони на атоми на донори и акцептори. Прилагането на различно напрежение към p-n прехода променя стойността на пространствения заряд в кръстовището. По-късно p-n преходът е като вид плосък кондензатор, чиито плочи служат като n- и p-тип преходна зона и като изолатор, площта на пространствения заряд, зареден с носители на заряд и може да е страхотен опит.

Такъв капацитет на p-n-прехода се нарича bar'ernoy. Бариерната стая C B може да бъде покрита от формулата

S - площ на p-n-прехода;   0 - видимо () и абсолютно ( 0) диелектрично проникване;  - ширина на p-n прехода.

Особеността на bar'ernoy єmnostі є її zalezhnіst vіd ovnіshnyї naruga. За подобряване на (2.2) бар'ерната ємнист за рязък преход се осигурява от следната формула:

,

Знакът „+“ показва връщане, а „-“ директен натиск върху прехода.

Ориз. 2.6 Натрупването на bar'ernoy єmnostі в vіd vorovoї nagruzka

Угарът в зоната на прехода, концентрацията на фара и напрежението на завъртане на bar'єrna єmnіst могат да увеличат стойността от един до стотици пикофаради. Бариерен капацитет се проявява в случай на обратен стрес; с директно налягане се шунтира от малка опора r pn.

Krim bar'ernoi єmnosti p-n-преход има така наречения дифузионен капацитет. Дифузионният капацитет е свързан с процесите на натрупване и разширяване на неподходящ заряд в основата, което характеризира инерцията на движението на неподходящи заряди в основната област.

Difuziyna єmnіst може да бъде отворена от предстоящия ранг:

,

de t n - часът на живот на електроните в основата.

Разширяването на дифузионния капацитет е пропорционално на струмата през p-n-прехода. При директно напрежение дифузионният капацитет може да достигне десетки хиляди пикофаради. Общият капацитет на p-n-прехода се определя от сумата на bar'ernoy и дифузионния капацитет. С противоналягане C B > C DIF; под директно налягане, дифузионен капацитет C DIF >> C B.

Ориз. 2.7 Еквивалентна схема на p-n-преход на заместващ поток

В еквивалентната схема, успоредно на диференциалната опора към p-n-прехода r pn, са включени два капацитета C B и C DIF; последователно с r pn включва основната еталонна база rB.

С увеличаването на честотата на промяната на напрежението, приложено към p-n-прехода, слабата мощност се оказва по-силна, r pn се шунтира от по-малката опора и горната опора на p-n-прехода се приписва на обема подкрепа на основата. По този начин при високи честоти p-n-преходът губи своята нелинейна мощност.

Начини за премахване на p - n-прехода

Splavnі преходи се свалят, като се прилагат върху napіvprovіdnikovu кристална облицовка "окачена" нискотопима метална сплав, към склада на която е необходимо да влезете в лесната реч. При нагряване се установява зона на рядко топене, чийто склад се характеризира с тежко топене на висящи и облицовки. При охлаждане се образува прекристализация. Областта на проводника е обогатена със светлинни атоми. Ако видът на легирането в зоната е съобразен с вида на легирането на облицовката, тогава тя става остра p - n-преход, освен това металургичния кордон х 0 zbіgaєtsya от границата на прекристализацията на региона. При рафтинг преходи по тази повърхност разликата се променя от стрибком (рязко p - n- преход). При горещо топене формоването на прехода се извършва при процеса на отглеждане пълненето на горещо-питейната смес с линия за дозирана смяна към склада на фаровете при топенето. Дифузионните преходи елиминират дифузията на светлини от герел в газообразна, редка и твърда фаза. Имплантирани преходи са одобрени за йонни имплантиране на светлинни къщи нД ( x)-Nа ( х). Често се използват комбинирани методи: след сливане, имплантиране или разширение на епитаксия се извършва дифузия на структурата. Когато са отнети p - n-П. не по-малко регулируеми Р- І н-области и структура на цялата преходна сфера; zokrema, излезте от необходимия градиент a = d(нД - на) /dxв областта на металургията. преход х = х 0 . Повечето от випадите са асиметрични Р + - П- или П + - r-p., при което е отнело корекцията на един от регионите (+) много по-силно от другия.

застосуване, p - n-П. maє нелинейна CVC с голям коефициент на изправяне, на която се основава функцията на токоизправителните диоди. За смяната на rahunok другарството на счупената топка от промяната на напрежението У Vіn maє kerovanu нелинеен капацитет.

Включения в директна линия, vin іnzhektuє nosії z odnієї vlasnoї oblastі в іnshу. Инжекциите в носа могат да бъдат керувани с втриване. p - n-преход, рекомбинация със смяна на светлината, рекомбинация p - n- Преход. електролуминесцентно dzherelo viprominuvannya, инерционно се затримува в областта на инжектиране в случай на внезапни колебания на напрежението върху Р - н-П. Strum p - n-П. cheruetsya светлина или в. Ionizuyuchy viprominyuvannyami. мощност p - n-П. obumovlyuyut их zastosuvannya в decomp. приставки: директни, детекторни, изместващи диоди, биполярни и униполярни транзистори; тунелни диоди; лавинни преходни диоди (HF-генератори); фотодиоди, лавинни фотодиоди, фототранзистори ; тиристори, фототиристори; фотоклетки, сънливи батерии; светлинни, инжекционни лазери; детектори за частици и в. Р - н- Преходите са съставени от пръти на Шотки, изотипни хетеропреходи и плоски легирани пръти.

Дифузионният капацитет предизвиква преразпределение на зарядите близо до p-n прехода и изглежда по-важен при директно изместено съединение. Промяната на директното напрежение на p-n прехода променя размера на заряда на неважните износвания на основата. Дифузионен капацитет за промяна на заряда за промяна на Qia:

Napіvprovidnikovі диоди

Проводни диоди се наричат ​​електрически преобразувателни устройства с един p-n преход, който може да бъде 2 електрически проводника.

Обозначаването на диодите според принципната схема да лежи в светлината на тяхното функционално предназначение. Основни видове диоди:

1. захранващи (окабеляване) диоди;

2. опорни диоди (стабилитрон и стабилизатор);

3. импулсни диоди;

4. тунелни диоди;

5. варикапи;

6. VHF-диоди;

7. магнитодид;

8. светлина и др.

Силови диоди

Силовите диоди се използват за изправяне на потока от индустриална честота. Вонята vikoristovuyutsya клапан мощност ток-напрежение характеристики на p-n-прехода. На фиг.3.1. Представени са менталната стойност на диода и втората ток-волтажна характеристика, съчетана с характеристиката на p-n-прехода.

Основни параметри на силовите диоди:

1. Влизам ¾ средно допустима стойност на директния удар;

2. U pr. ¾ директен спад на налягането с допустим директен поток;

3. U sp. max ¾ допустимо обратно напрежение на диода, което не трябва да води до електрически повред;

4. I sp. max ¾ стойността на реверсивния струм на диода при допустимото обратно напрежение;

5. R доп. ¾ херметичността е приемлива, което може да се види на приставката;

6. т ° ограби. max ¾ максимално допустима работна температура;

7. f max ¾ гранична работна честота.

Високочестотни диоди

Високочестотните диоди са предназначени за преобразуване на поток от струи в единично насочване при значителни честоти на zmin поток (от стотици kHz до стотици MHz). Основната причина, която е невъзможността за блокиране на тези цели на най-големите випрямляващи диоди, е тяхната значителна бар'ерна мнист. С увеличаване на честотата сигналът, който се поправя, видимата опора на затворения диод пада, мощността на клапана се нарушава и диодът спира да нарушава функционалното си предназначение. За да се използва този ефект (за минимизиране на преходния капацитет), високочестотните диоди имат два технологични трика: така наречените точкови и мезосплавни технологии.

Функциите на високочестотния диод са подобни на тези на диода с директна връзка. Стойността на високочестотния диод в електрическите вериги се основава на стойността на директния диод. Krіm parametrіv, pritamanny vipryamny диод, максималният капацитет на диода се добавя при нулево напрежение на завъртане.

HF-диоди (свръхвисокочестотни диоди)

Нискочестотните диоди са предназначени за преобразуване на сигнали в електрически поток до десетки MHz. Внимавайте за точковата технология.

Импулсни диоди

Значение и токово-волтова характеристика на импулсните диоди, подобни на токоизправителните диоди. Импулсните диоди се разпознават за работа със сигнали от импулсивен характер (в режим на превключване), така че е необходимо да се защити инерцията на процесите на увеличаване и превключване на диоди. Важно е да започнете да изграждате часа за настройка на директното напрежение с stribkopodіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbnіbіnі директен бръмчене и vіdnovlennі vіdnovlennіa vіdnovlennіa svorotnogo vіvіnі vіdnovlennіa vіdnovlennіa vіdnovlennіa svorotnogo vіvіnі vіdіvіnі. Нарушенията и факторите са белязани от скоростта на процесите на рекомбинация (един час живот за свободни носове). За да се насърчи скоростта на рекомбинационните процеси за производството на материали за тези диоди, е необходимо да се въведат къщи за образуване на "пасти" за свободното износване на зъбката (злато, никел).

При инжектирането на входен импулс с положителна полярност (фиг. 3.2) се инжектира заряд в основната област на диода. Променете напрежението от правата линия на ивицата, за да изведете ивицата чрез наличието на дифузионен капацитет. Възможно е да се смени опората на портата на диода с допълнителен инжектиран заряд.

Основните параметри на импулсния диод са:

1. t arr \u003d t 2 - t 1 ¾ час възстановяване на опората на портата, tobto. един час интервал от момента на преминаване на дрънчето през нула (след смяна на полярността на постоянното напрежение) до момента, в който дрънчето достигне зададената малка стойност;

2. t pr \u003d t 4 - t 3 ¾ час инсталиране на директна опора, tobto. интервалът от часа според момента, в който импулсът на директния поток се прилага към диода, докато се достигне предварително зададената стойност на директното напрежение върху диода;

3. R ​​i \u003d U pr. max / I pr. impulny opir;

4. I пр. max ¾ максимално допустима импулсна струя;

5. U пр. max ¾ максимално импулсивно право напрежение;

6. R доп. ¾ максимално допустимата плътност на rozs_yuvannya.

Различни видове импулсни диоди Диод на Шотки, В p-n-преход на решения със структурата на проводник-метал. Особеността на такъв преход е натрупването на излишен заряд в основата. Инерционната мощност на такъв диод се дължи на заряда при барьернов капацитет. Значението на диода на Шотки е показано в т.3.3.

Механизъм на преливане на бримкатапрез прохода е много просто. Носий заряд е незначителен за едни зони, движещи се в електрическото поле на областта на обемния заряд, се изразходват в региона, неприятните миризми вече са основните. Oskіlki концентрацията на главните носове zavvichay значително надвишава концентрацията на второстепенните носове в района на Судан (n n>> npі п стр >> p n), тогава появата в тази област на проводника на незначителен допълнителен брой от главните носове в заряда практически не променя също толкова важното положение на проводника.

Още една снимка, която да излезе, когато минава директна струма . По този начин по-важен е дифузионният компонент на струмата, който се образува от главните носове в заряда, което създава потенциална бариера и прониква в зоната на проводника, за която не е основният нос. Концентрацията на второстепенни носове в собствения може да бъде точно обратното на една също толкова важна концентрация. Нарича се феноменът zaprovadzhennya на маловажни носове инжекция.

Когато преминава директна струма p-n-преходът от електронната зона към отдалечената зона е инжектирането на електрони, от отдалечената зона към електронната зона - инжектирането на проводниците.

За простота ще разгледаме по-нататък инжектирането на дупки от областта на дупката на проводника в електрониката, като същевременно разширяваме по-нататъшното развитие на проводниците до простия процес на инжектиране на електрони от областта на дупката. Якшчо докладва на p-n-прехода на напрежението към директно предаване (фиг. 3.13), тогава височината на потенциалната бариера ще намалее и ще се появят броят на дупките в процепа за проникване в н-регион.

Фиг.3.13. Схема за преминаване на директна струма през кръстовището

Преди появата на tsih dirok н- bool областта е електрически неутрална, т.е. положителни и отрицателни заряди в дермата н-площи y сумата, добавена към нула.

Дирки, инжектиран с R-площ в н-площ, която има положителен обемен заряд. Този заряд създава електрическо поле, което се разширява в обема на проводника и произвежда основния носител на заряд - електрониката. Електрическото поле, създадено от кортичките, добавя към кортиците електрони, чийто отрицателен обемен заряд може да компенсира положителния обемен заряд на кортите. Protezoseredzhennya elektronіv в близост до обемния заряд на іnzhektovannyh dіrok доведе до промяна в їхната концентрация при summіzhnyh obyagah, tobto. докато електрическата неутралност бъде разрушена и в техните вериги има насипен заряд.

Тъй като Никой не може да компенсира електрическото зареждане на електрическата енергия в средата на електрическата батерия, за възстановяването на електрическата енергия полупроводника с външния вивод трябва да включите допълнителния брой електрони, сумарния заряд, чиито сумарни заряди се изравняват. Броят на електроните и дирка може да бъде равен за стойността на това удължаване за знака на заряда, тогава броят на електроните, които са включени в обема на проводника от външния вид, може да бъде по-скъп за броя на инжектирането дупки.

В този ранг, за една нощ с появата в н-региони дребни маловажни носове -броят на електроните е същият - основни маловажни носовеИ доколкото в носовете не е важно, парчетата създават концентрация, която променя концентрацията на термодинамична еквивалентност.

Процесът на компенсиране на обемния заряд на несъществените неважни носове с обемния заряд на неважните основни тече непрекъснато. Часът на възстановяване на този процес се определя от часа на релаксация

і да стане за Германия (ε = 16), pytomy opіr като 10 ом см,затваряне 10-11 сек.В крайна сметка можете да започнете процеса с mittevim.

И така, точно при прехода, концентрацията на носа на храма, носа на видимостта на градиента на концентрацията се разширява в дълбините на проводника в правата линия на по-ниските концентрации. Изведнъж концентрацията на маловажни носове се променя в хода на рекомбинацията, така че концентрацията на прагматичната стойност е също толкова важна.

Фиг.3.14. Кривата на разпределението на концентрацията на неважни несъществени

nosіїv (dirok) в електронната област p-n-преход

Ако концентрацията е малка в сравнение с концентрацията на еднакво важни главни носове (ниска скорост на инжектиране), тогава намаляването на концентрацията на неравномерните носове при директния преход към проводника се дължи на експоненциалния закон:

(3.23)

Лхарактеризира, че на средна възраст, на базата на носа, човек може да дифузира за един час живот.

В dosit vіddalenіy vіd точка на преход (x →¥ ) също толкова важна е концентрацията на носа в заряда.

С малка равна инжекция, концентрацията на неважни носове н-площта на носене между деленията е експоненциално остаряла в зависимост от големината на напрежението, приложено преди прехода:

(3.24)

(при У= 0; бързо се увеличава поради увеличаването на положителните стойности U).

Показателно е, че промяната в напрежението при прехода с Δ uводят до повишаване на концентрацията на маловажни дироки в н-области, tobto. преди да смените заряда. Промяна на заряда, viklikane промяна на напрежението, е възможно като diu deyakoї єmnostі. Амнистия се нарича дифузия , изглежда, че парчетата променят дифузионния компонент на struma през прехода.

Можете да zrobiti visnovok, шо дифузионният капацитет ще се прояви с директни потоци през прехода или малки обратни напрежения, ако размерът на дифузионния поток не може да бъде неточен при еднаква проводимост на струята.

Дайте дифузионния капацитет като промяна в заряда Δ В, v_dnesene за промяна на напрежението, което се нарича йога Δ u:

което се оценява чрез изливане в зоба през прехода по стойността на дифузионния капацитет.

Нов заряд на дребни неважни носове н-домейните могат да бъдат премахнати чрез интегриране на вираза (3.23).

Операционни системи (ОС)